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外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。然后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。
型号：PET-02-VA
规格：2INCH, AVE. 3μm THK. XRD ≤ 450 arcsec (102)
产品应用范围涵盖：UV杀菌、光疗，水处理，汽车尾气处理等。
| 半导体中名词“wafer”“chip”“die”中文名字和用途 |
| ①wafer——晶圆 |
| wafer 即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。 |
| ②chip——芯片 |
| 一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片（chip）。芯片一般主要含义是作为一种载体使用，并且集成电路经过很多道复杂的设计工序之后所产生的一种结果。 |
| ③die——晶粒 |
| Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。晶粒是组成多晶体的外形不规则的小晶体，而每个晶粒有时又有若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成。晶粒的平均直径通常在0.015~0.25mm范围内，而亚晶粒的平均直径通常为0.001mm数量级。 |
| 二、半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别 |
| ①材料来源方面的区别 |
| 以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做wafer，通过工艺流程后每一个单元会被划片，封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称，有时特指封装好的芯片。 |
| ②品质方面的区别 |
| 品质合格的die切割下去后，原来的晶圆就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。这些残余的die，其实是品质不合格的晶圆。被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。 |
| ③大小方面的区别 |
| 封装前的单个单元的裸片叫做die。chip是对芯片的泛称，有时特指封装好的芯片。cell也是单元，但是比die更加小 cell <die< chip。 |
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| 3535 265nm 275nm 295nm 310nm 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠 CHIP |
| 4545 265nm 275nm 295nm 310nm 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠 CHIP等等 |
| 4747 365nm 385nm 395nm 405nm 灯珠 |
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